展会亮点1 践行 “双碳” 理念，探索“新能源汽车”新市场机遇根据中汽协数据，2024年1-10月，中国汽车产销量分别为2446.6万辆和2462.4万辆，且预计未来5年将持续呈上升趋势。慕尼黑上海电子生产设备展紧跟新能源与汽车产业的发展趋势，推出的新能源及汽车技术系列主题板…
1N4148W T4 贴片二极管综合解析一、基础参数与特性电性参数：正向电流：150mA（最大连续工作电流）反向耐压：75V（部分型号标称100V）正向压降：≤1.0V（典型值）反向恢复时间：4ns（高频性能优异，适用于快速开关场景）结电容：4pF（低…
品牌推广，优势让利，质量一马当先二极管A7特性与参数解析一、核心参数电性参数：正向平均电流（Io）：0.5A-1A反向重复峰值电压（VRRM）：1000V正向峰值电压（VF）：1.1V浪涌电流（IFSM）：25A（A7） vs. 30A（M7）反向漏电流（IR）：≤5μA二、封装特征…
“深南紫光”MB10F整流桥详细介绍基本特性与应用场景MB10F整流桥是一款高性能的小方桥、贴片桥堆，以其超薄体型和稳定的电气性能而著称。它由4颗芯片组成，芯片尺寸最大为50MIL，并配有4条引线，非常适合对整流桥尺寸要求较高的产品。这款整流桥广泛应用于多个领域，包括…
- **电性参数**： - 正向电流（IF(AV)）：2A - 反向耐压（VRRM）：1000V - 正向电压（VF）：1.1V - 浪涌电流（IFSM）：70A - 漏电流（IR）：5μA - 工作温度：-55℃至+150℃。 - **封装特性**： - 尺寸：本体长4.5mm，宽5.4mm，高1.5mm，脚…
大功率贴片桥堆-推荐首选！深南紫光HBS810技术规格与封装特性HBS810桥堆是一款单相桥式整流器，具有1000V反向击穿电压和8A平均整流电流能力。其封装为4-SMD鸥翼型，采用表面贴装设计，适用于印刷电路板的高密度布局。该器件支持260℃高温回流焊接，具备低正向压降和高散热…
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展会时间与地点一、展会概况2024 年 11 月 02 日，深南紫光参加了一场重要展会。可以想象在这样一个充满机遇的日子里，深南紫光在展会现场必定绽放出独特的光彩。公司展位信息深南紫光作为一家专业从事半导体生产与销售的企业，在此次展会上虽展位号暂未明确，但凭借其强…
美国商务部近日宣布将于2024年1月启动一项对美国半导体供应链和国防工业基础的调查，“为美国旨在加强半导体供应链、促进传统芯片生产的公平竞争环境以及降低中国带来的‘国家安全风险’的政策提供信息”。这预示着美国对华半导体管制或进一步升级。2023年，以芯片为代表…
在有些场合中，应考虑采用铁电随机存取存储器替代闪存作为一种切实可行的非易失性存储技术，TI 的技术工程师 Priya Thanigai 将在本文中介绍若干此种技术的实际例子。众所周知，铁电随机存取存储器 (FRAM) 是一种非易失性的独立型存储技术，10 多年来一直是半导体产业的组…
5G是4G的延伸，但与4G不同的是，5G并不是一个单一的无线接入技术，而是一个真正意义上的融合网络，相比3G/4G技术，5G技术传输速率高、网络容量大、延时短，能将网络能效提升超过百倍，真正开启万物互联网时代。我国IMT-2020(5G)推进组定义了5G的主要技术场景：连续广域覆…
32位元范例将关注于ARM Cortex-M装置，Cortex-M在不同MCU供应商产品组合中...
近年来，“开发板”一词的含义几乎消失了，它被大量其他用于表示开发目标的硬件板术语所吸收，如“演示板”、“评估套件”和“参考设计”我们将定义“开发板”（图1），并描述它与本文中密切相关的单板计算机（SBC或单板计算机）的区别。我们还绘制了它们从过去到现在的演…
德州仪器公司 (TI) 已在标准 CMOS 逻辑工艺中生产出64兆位铁电存储器(FRAM) 芯片，从而将该技术在各种应用领域中确定为嵌入式闪存及嵌入式 DRAM 的经济高效型替代技术。与处理器、外设及其它器件一样，在同一芯片上嵌入内存不仅会降低系统芯片数目及复杂性，而且还能够提…
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