在有些场合中，应考虑采用铁电随机存取存储器替代闪存作为一种切实可行的非易失性存储技术，TI 的技术工程师 Priya Thanigai 将在本文中介绍若干此种技术的实际例子。众所周知，铁电随机存取存储器 (FRAM) 是一种非易失性的独立型存储技术，10 多年来一直是半导体产业的组成部分之一。

近年来，集成电路制造商已逐步地把 FRAM 视为嵌入式非易失性存储器的一个强有力的竞争者以及闪存技术的替代者。本文将论述 FRAM 的主要技术属性，同时探讨可充分展现 FRAM 优势的具体用例。

如今，有多种存储技术均具备改变嵌入式处理领域格局的潜力。然而，迄今为止还没有哪一种技术脱颖而出成为取代微控制器 (MCU) 中闪存技术的强劲竞争者，直到 FRAM 的出现这种情况才得以改变。

FRAM 是什么？

FRAM 为非易失性存储器，其功耗、可写入次数、读/写速度均与常用的静态 RAM (SRAM) 很相似。存储在 FRAM 单元中的信息对应于铁电晶体的极化状态，即使在电源移除之后亦能保存其内容。正是这一特点使 FRAM 拥有了真正的非易失性。而且，与闪存单元的编程相比，晶体极化所需的电能消耗相对较低，因此 FRAM 写入操作的功耗天生就比闪存的要低。